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第三代半導體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結工藝進展

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內(nèi)只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術方案中，將粒...

ITO靶材燒結工藝

ITO（氧化銦錫）是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10（質(zhì)量比），在ITO靶材的生產(chǎn)過程中必須嚴格控制化學氧含量及雜質(zhì)含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經(jīng)過低溫熱脫脂和燒結后工藝處理得...

熱處理前景怎么樣？聽聽管式爐廠家上海皓越怎么說

隨著鋼鐵、機械、化工等重化工業(yè)逐漸向發(fā)展中國家轉移，熱處理對中國制造業(yè)的振興和發(fā)展具有重要的支撐作用，而制造業(yè)的發(fā)展也必將帶動中國熱處理行業(yè)的快速發(fā)展，為中國熱處理行業(yè)的發(fā)展提供廣闊的發(fā)展空間，行業(yè)的發(fā)展前景廣闊。不過，管式爐廠家上海皓越覺得，雖然中國熱處理行業(yè)發(fā)展迅猛、前景廣闊，但面對著新產(chǎn)品不斷開發(fā)、老產(chǎn)品更新?lián)Q代的快速發(fā)展形勢，雖然目前我國熱處理企業(yè)的生產(chǎn)裝備可以滿足生產(chǎn)需求，但熱處理行業(yè)有的“專、精、特”企業(yè)群體尚未形成，專業(yè)技術人員短缺，新技術的推廣應用困難；全行業(yè)...

ITO靶材應用及發(fā)展前景

氧化銦錫（ITO）晶體結構氧化銦錫（ITO）是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現(xiàn)大量點缺陷，同時產(chǎn)生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導電...

AZO靶材 熱壓制備工藝

透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發(fā)光二極管等領域，被作為智能窗口材料、加熱導體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導電電極等而得到廣泛的應用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應的復合多元化合物半導體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對透明導電...

碳化硼復合靶板制備及抗彈測試

近30年來，復合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結構，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強纖維）充填其中。常見的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強纖維有玻璃纖維、碳纖維和芳綸纖維等。下面以碳化硼復合靶板為例，介紹下其制備及抗彈測試過程。復合靶板結構及封裝復合裝甲陶瓷靶板示意圖靶板從左到右依次為鋁合金面板、4層玻纖布、鋁合金邊框及陶瓷片、2層玻纖布、鋁合金背板、45號鋼基板。采用鋁合金邊框對陶瓷塊進行二維約束，再將玻纖布平鋪在陶瓷層的正面和背...

熱壓碳化硼陶瓷制備工藝及解決方案

碳化硼是一種新型非氧化陶瓷材料，因其具有熔點高、硬度高、密度低、熱穩(wěn)定性好，抗化學侵蝕能力強和中子吸收能力強等特點而被廣泛應用于能源、軍事、以及核能領域。碳化硼又稱黑鉆石，是僅次于金剛石和立方氮化硼的第三硬材料，故成為超硬材料家族中的重要成員。目前碳化硼材料主要通過燒結法制備，不過碳化硼是共價鍵很強的陶瓷材料，共價鍵占90%以上，而且碳化硼的塑性差，品界移動阻力很大，固態(tài)時表面張力很小，從而決定了碳化硼是一種極難燒結的陶瓷材料。純碳化硼在燒結過程中通常存在燒結溫度高、燒結后所...